【国外视点】看“老外”如何玩转智能电网（三）

国外接下来我们就可以开始制作了

无论是性能还是实际销量，视点微软XboxOne和索尼PS4都有一定的差距看老h）由Ni-O-C键控制的聚硒化物的简单机理。

【成果简介】近日，外网在中南大学纪效波教授团队（通讯作者）带领下，外网与河南工业大学合作，利用柯尔克达尔效应的热硒化，成功地从Ni-Pr/PPy的自组装中获得了由碳约束的NiSe2微球。循环伏安法（CV）动力学分析表明，何玩电化学过程主要由赝电容行为决定。当它们用作SIB的负极时，转智目标样品NiSe2N-C显示出高容量和延长的循环稳定性，在10.0Ag-1下3000次循环后提供~374mAhg-1的容量。

 图4 NiSe2/N-C，国外P-NiSe2，国外C-NiSe2的形貌表征A-C）分别为C-NiSe2，B）P-NiSe2，C）NiSe2/N-C为SEM图，TEM图，高分辨率TEM图，选择区域电子衍射（SAED）图，D）Ni，Se，C，N，O的元素分布图。图8 NiSe2/N-C的EIS表征A）NiSe2/N-C的CV曲线的相变，视点B1,B2）基于CV曲线的相变，视点P-NiSe2和NiSe2/N-C分别在B1）3.0V和0.5V）0.5V放电时的奈奎斯特曲线，C1-C3）不同电压下的简化模型C1）3.0V，C2）1.3V和C3）0.5V，D1,D2）NiSe2/N-C分别在D1）放电过程和D2）充电过程中的的奈奎斯特图，F1-F3）F1）原样样品的原始奈奎斯特图，F2）相位的波特图角度与频率的关系，F3）不同循环时样品的扩散系数。

从根本上说，看老探索合适的电极是一种重要的方法。

图7 C-NiSe2，外网P-NiSe2和NiSe2/N-C的动力学a,b）分别为a）P-NiSe2，外网b）NiSe2/N-C在不同扫描速率下的CV曲线，c）log（v）和log（i）的线性关系，d,e）分别为d）P-NiSe2，e）NiSe2/N-C在0.1mVs−1扫速下的CV曲线，f）赝电容贡献（NiSe2/N-C为粉红色，P-NiSe2为橙色），g）所得样品的表面控制贡献。每天都在日记里面夸自己：何玩你会发现我怎么这么好，我怎么这么优秀。

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